耐壓100V也很容易實現(xiàn)
在硅晶圓上批量制造的優(yōu)點除了可量產(chǎn)之外，還包括：容易實現(xiàn)多個芯片的串聯(lián)和并聯(lián)，能夠以高自由度設(shè)計工作電壓和靜電容量。串聯(lián)和并聯(lián)引起的電壓和靜電容量的變化“幾乎跟課本上說的一樣”（產(chǎn)綜研納米管實用化研究中心負(fù)責(zé)人畠賢治）。
例如，如果單個芯片的耐壓為1V、靜電容量為約30μF，將這樣的4個芯片串聯(lián)成一組，并聯(lián)4組，可以實現(xiàn)耐壓為4V、靜電容量約30μF的器件（圖1（a））。如果將100個芯片串聯(lián)，還可以實現(xiàn)耐壓100V。將100個芯片并聯(lián)，可以實現(xiàn)約3000μF的靜電容量。
可用于AC-DC轉(zhuǎn)換
IEDC也存在一些課題。一是等效串聯(lián)電阻（ESR）比鋁電解電容器大。一般來說，較大的ESR不適合處理高頻和大電流的用途。即便如此，產(chǎn)綜研表示，已確認(rèn)這種IEDC在60Hz的AC-DC轉(zhuǎn)換等較低頻率領(lǐng)域用途可正常工作。
ESR大當(dāng)然也有有利的一方面。因為在尺寸小這一點上與IEDC形成競爭的MLCC就存在ESR過小而容易振蕩的課題。
IEDC的另一個課題是制造成本高（圖3）。原因是光刻裝置等的成本高，但畠賢治表示“單價有可能降到100日元左右，與MEMS（微電子機械系統(tǒng)）元件剛開始量產(chǎn)時差不多”。
圖3：將來成本將與MEMS元件相當(dāng)
IEDC的特點、課題及今后的開發(fā)方向。由于采用光刻技術(shù)，即使成本降低，單個的成本也在100日元左右，與MEMS相當(dāng)，仍比鋁電解電容器高。但另一方面，IEDC具有附加值，例如可以在SoC的封裝內(nèi)安裝、在樹脂基板上制造等。今后有望進(jìn)一步小型化，成品率也會提高。
高成本靠高附加值抵銷
產(chǎn)綜研對IEDC的希望是，找到可充分利用其附加價值的新用途使之投入實用，而不是與現(xiàn)有產(chǎn)品一味進(jìn)行價格競爭。
今后，產(chǎn)綜研將通過增加CNT的膜厚，進(jìn)一步減小芯片尺寸，同時將目前約為90％的成品率提高到99％以上，并實現(xiàn)實用化。畠賢治表示“還打算取代Si基板，在樹脂基板上制造IEDC，以降低其成本，擴大其用途”。
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